在真空傳感器的制作中， 挑選硼硅膜作為傳感器的傳感元， 這是由硼硅膜制作簡略、安全和杰出的機械特性決議的。作為真空傳感器的傳感元， 硼硅膜是真空傳感器的中心有些。這些年， 用P+膜制作微傳感器和微器材， 已經成為各大公司和某些高校熱切研討的主題， 并被作為電容式壓力傳感器的薄膜、加速度傳感器中的懸臂梁、測量流速時的橋、篩漏的小孔以及微型馬達部件等， 廣泛地應用于工業生產中。此外， P+膜可以在各種硅的腐蝕液中到達自中止， 可以作為固態壓力傳感器和SOI構造器材等硅薄膜的腐蝕鴻溝。因為其腐蝕精度高， 腐蝕面平坦而被廣泛選用。運用BN摻雜劑在硅外表摻雜硼， 作為硅腐蝕的自中止外表， BN摻雜源易于控制濃度( 可以供給希望得到的B的濃度) ， 再加上其運用安全、便利， 因而具有很高的運用價值。在壓力效果下， 硼硅膜會發作形變， 如圖2所示。

圖2 SiB膜及其在壓力下的形變
假定硼硅膜在Z軸方向上的變形量w>>h (硼硅膜的厚度)， 選用大撓度理論對硼硅膜進行說明，差錯較小。說明可得到在硼硅膜上恣意一點(x， y)處的撓度， 則

式中: E是硼硅膜的楊氏模量; ν是泊松比; a是方形電極邊長的一半。此刻， 電容值

    因而， 在不一樣的壓力效果下， 方形硼硅膜的變形量是不一樣的， 然后對應不一樣的電容值。使用ANSYS軟件對硼硅膜的變形狀況進行模仿仿真， 研討在不一樣的壓力下， 方形硼硅膜的變形狀況。外界壓力分別是10-3、102Pa 時使用ANSYS仿真的方形硼硅膜的變形狀況如圖3 所示。由圖3 能夠看到，當壓力不一樣時， 顏色帶的方位是不一樣的。壓力越大，硼硅膜的變形量就越大；在同一壓力下， 硼硅膜基地方位的變形量。

圖3外界壓力分別為10-3、102Pa 時對應的硼硅膜的變形示目的 。